En juillet dernier, Samsung et IBM ont annoncé qu'ils avaient mis au point un nouveau processus de fabrication d'une mémoire RAM non volatile, appelée MRAM, qui est jusqu'à 100 000 fois plus rapide que la mémoire flash NAND . Eh bien, si l'on en croit les informations, le géant sud-coréen dévoilera la mémoire de MRAM le mois prochain lors de son événement Foundry Forum.
MRAM signifie RAM magnétorésistive et est produit à l'aide de la technologie de couple de transfert de spin. Cela conduira à des puces de mémoire de faible capacité pour les périphériques mobiles qui utilisent actuellement la mémoire flash NAND pour stocker des données.
Ce STT-MRAM consomme très moins d'énergie lorsqu'il est activé et qu'il stocke des informations. Lorsque la RAM n'est pas active, elle ne consomme aucune énergie car la mémoire est non volatile. Ainsi, cette MRAM devrait être largement utilisée par les fabricants pour des applications à très basse consommation .
Selon Samsung, le coût de production de la mémoire DRAM intégrée est meilleur marché que celui de la mémoire flash. Malgré sa taille réduite, la mémoire MRAM est également plus rapide que les mémoires flash normales. Malheureusement, Samsung n’est pas en mesure de produire plus de quelques mégaoctets de mémoire actuellement. Dans l'état actuel, la mémoire MRAM est suffisante pour servir de mémoire cache aux processeurs d'application.
Le forum de la fonderie de Samsung devrait avoir lieu le 24 mai. Nous espérons que nous obtiendrons plus de détails sur la future mémoire MRAM de Samsung. Il a été rapporté que le département commercial LSI de Samsung avait mis au point un prototype de SoC intégrant une mémoire MRAM, qui devrait également être dévoilé lors du même événement.
